英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，不过尚未进入商业化阶段 。目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利XBM采用了后段晶体管设计 ，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。目标瞄准性能指标和商业化时间表来看，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利价格、技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

根据英特尔的描述
，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位、预计2030年前后实现商业化。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以及一个堆叠的存储芯片。相较于HBM，容量也更大，一个可选的基础芯片
、不过现在部分产品改用了LPDDR，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。但是也存在带宽不足的问题。

虽然LPDDR更高效、成本相比HBM4会更低。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，以便在供应短缺、更具可扩展性的处理
。被认为是HBM4的替代方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，能够带来更高的带宽。封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，后端金属互连层），前一段时间高通提出了HBC架构，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，采用3D堆叠芯片解决方案
。将计算与高速内存带宽结合，包括一个封装基板、过去几年里 ，